1.本科及以上學歷，半導體器件物理及微電子設計相關專業(yè)；

2.了解DRAM或Flash電路設計，了解先進技術節(jié)點標準單元庫設計，具有2年以上設計等相關經(jīng)驗；

3.了解半導體期間物理和深亞微米CMOS工藝，具有2年以上CIS接口電路設計經(jīng)驗；

4.具有DRAM或Flash電路設計或CIS接口電路相關設計經(jīng)驗者優(yōu)先；

5.工作認真、踏實負責，具有良好的團隊合作精神與目標導向意識；

6.良好的英語聽說讀寫能力，能與國外來訪人員流利溝通；

7.熱情、耐心、敬業(yè)、勤奮，有責任感，具有良好的心理素質和服務意識。

1.數(shù)字崗位：DRAM或Flash電路設計，負責DRAM或Flash集成電路數(shù)字電路驗證，新型DRAM或Flash的設計及測試，高性能DRAM或Flash的設計、驗證、集成和測試；

2.數(shù)字崗位：先進技術節(jié)點標準單元庫設計，DTCO設計與開發(fā)。